Основные технические параметры 2Т203Б:

2Т203Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном (2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В) и пластмассовом (КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ) корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора в металлостеклянном корпусе указывается на корпусе.
Транзисторы в пластмассовом корпусе маркируются цветным кодом: боковая поверхность у всех транзисторов окрашивается темно-красным; торцы КТ203АМ - темно-красным, КТ203БМ - желтым, КТ203ВМ - темно-зеленым.
Масса транзистора не более 0,5 г.

Основные технические характеристики транзистора 2Т203Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 50 Ом